ISC079N15NM6 - OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管，150V 正常电平，PG-TDSON-8 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12.8A (Ta), 95A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）：8V，15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.4mOhm @ 36A, 15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 77µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：40 nC @ 10 V Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2900 pF @ 75 V 功率耗散（最大值）：3W (T

IPD023N04NF2S：40V N通道 MOSFET晶体管，表面贴装型，TO-252-3 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：27A（Ta），143A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V 功率耗散（最大值）：3W（Ta），150W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 供应商器件封装：PG-TO252-3 封装/外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63 星际金华，明佳达供应，回收IPD023N04NF2S【N通道 MOSFET晶体管】IPD038N06N

C3M0016120D：1200V N通道 SiCFET（碳化硅）MOSFET晶体管，TO-247-3 FET 类型：N 通道 技术：SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）：1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V 功率耗散（最大值）：556W（Tc） 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：通孔 封装/外壳：TO-247-3 星际金华，明佳达供应，回收C3M0016120D【碳化硅MOSFET晶体管】C2M0280120D C2M0280120D：1200V 单N-通道碳化硅MOSFET晶体管，TO-247-3 FET 类型：N 通道 技术：SiCFET（碳化

SPA16N50C3：560V N通道功率MOSFET晶体管，TO-220-3 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：560 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 功率耗散（最大值）：34W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：通孔 供应商器件封装：PG-TO220-3-31 封装/外壳：TO-220-3 星际金华，明佳达供应，回收SPA16N50C3【N通道功率MOSFET晶体管】IPB038N12N3G IPB038N12N3G：120V N通道功率MOSFET晶体管，TO-263-3 FET 类型：N 通道 技

介绍： 这是一款1200 V，13 mΩ EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET SixPACK三桥桥模块，采用增强型第一代CoolSiC™ MOSFET、集成式NTC温度传感器和PressFIT压接技术。 特征描述： 出色封装，高度达12 mm 先进的宽禁带（WBG）半导体材料 非常低的模块杂散电感 增强的第一代CoolSiC™ MOSFET 更大的栅极驱动电压范围 栅源电压：+23 V和-10 V 工作结温（Tvjop）：过载条件下高达175°C PressFIT压接引脚 集成了NTC温度传感器 优势： 优异的模块效率 系统成本优势 提升系统效率 降低散热

UJ4SC075018B7S：750V、18mOhm SiC FET 晶体管 1、描述： UJ4SC075018B7S 是一款 750V、18mOhm G4 SiC FET 晶体管。它采用独特的 "级联 "电路配置，将一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装，从而产生一个常闭 SiC FET 器件。 2、产品特征： 导通电阻 RDS（on）： 18mW （典型值） 工作温度 175°C（最高） 出色的反向恢复能力： Qrr = 125nC 低体二极管 VFSD：1.14V 低栅极电荷： QG = 37.8nC 阈值电压 VG(th)： 4.8V（典型值），允许 0 至 15V 驱动电压 3、产品属性： FET 类型：N 通

正面金属化工艺是MOSFET晶圆减薄前的关键工艺；目的是由溅镀或化镀方式形成UBM，接着做铜夹焊接 (Clip Bond)，以降低导线电阻；承受大电流。在使用夹焊(Clip Bond)时，由于铝垫上方必須要有凸块下金属层(Under Bump Metallurgy, 简称UBM)，来做为铝垫和铜夹(Clip)之间的焊接表面(Solder Surface) 化镀，一般称为化学镀(Chemical plating)，也称无电镀(Electro-less Plating)，在没有外加电流的条件下，利用化学药剂形成一连串可控制的氧化还原反应，使得化学药剂中的金属离子

描述 安森美半导体 NVMFS9D6P04M8LT1G MOSFET - 功率，单 P 沟道 -40 V，9.5 m，-77 A 功能特点 占用空间小，设计紧凑 低 RDS(on)，可将传导损耗降至最低 低电容，将驱动器损耗降至最低 NVMFWS9D6P04M8L - 可湿侧面产品 通过 AEC-Q101 认证并可执行 PPAP 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 规范 【供应】【收购】安森美 NVMFS9D6P04M8LT1G 表面贴装型 P 通道 40 V 17.1A（Ta），77A（Tc） 3.7W（Ta），75W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL） 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封

AIMDQ75R016M1 / AIMDQ75R040M1H：750V 高度坚固的 SiC MOSFET 晶体管 型号：AIMDQ75R016M1 / AIMDQ75R040M1H 封装：PG-HDSOP-22 类型：MOSFET 晶体管 星际金华，明佳达供应，回收AIMDQ75R016M1【SiC MOSFET 晶体管】AIMDQ75R040M1H 一、描述： AIMDQ75R016M1 / AIMDQ75R040M1H 是一款高度坚固的 SiC MOSFET 晶体管，具有最佳的系统性能和可靠性。 二、产品属性： FET 类型：N 通道 技术：SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）：750V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：98A（Tc） 功率耗散（最大值）：384W（Tc） 工作温

SiC MOSFET模块是一种基于碳化硅(SiC)材料的功率半导体器件，它结合了MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的高效开关特性和SiC材料的优异性能。与传统的硅基MOSFET相比，SiC MOSFET模块具有更高的工作温度、更低的导通电阻、更快的开关速度和更好的热导率，SiC MOSFET模块的引入有助于提高系统效率，减小系统尺寸和重量，是现代电力电子技术的重要进步。 SiC MOSFET Module SemiQ 的 SiC MOSFET 模块的开关损耗接近于零，大大提高了效率，减少了散热，并且需

　　充电桩类似于加油站中的加油机，可固定安装在地面或墙壁上，广泛应用于公共建筑(如商场、公共停车场)以及居民小区的停车场或充电站内，为各种型号的电动汽车提供不同电压级别的充电服务。

一、NTMFS4C020NT1G：30V 逻辑电平 N 通道 表面贴装型 产品说明：NTMFS4C020NT1G是一款30V 单 N 沟道功率 MOSFET晶体管。 产品属性： FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：47A（Ta），303A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），134W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL） 封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线 星际

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极性晶体管）是两种不同类型的功率器件，它们在不同的应用场景中具有不同的特点。以下是有关它们的一些信息以及在选择时需要考虑的因素： MOSFET： - 电压范围：MOSFET通常用于低至几伏特（V）到数百伏特的电压范围内的应用。一些高电压MOSFET也可以达到千伏以上的电压等级，但这通常是高端市场和特殊应用。 - 电流范围：MOSFET适用于低至毫安级别的小电流应用，也适用于几十安到几百安的

介绍 1、IAUC120N06S5N017表面贴装型 N 通道 60 V 120A（Tj） 167W（Tc） PG-TDSON-8-43 系列： OptiMOS™ FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：120A（Tj） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V @ 94µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.9 nC @ 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6952 pF @ 30 V 功率耗散（最大值）： 167W（Tc） 工作

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1） 耐压余量大：保证器件在低温至-40℃时，仍能100%保证耐压大于额定电压的要求；为器件工作在户外或极寒工况下，提供最大保障； 2） 器件结温高：允许的瞬态最大工作结温175℃，为系统瞬态过载提供更大的安全余量； 3） 可靠性强：产品不仅可以通过常规的可靠性考核项目，还可以满足最大结温下的100%偏压HTRB\HTGB考核和更严苛的HV-H3TRB考核，保障器件在高温、高湿等恶劣工况下的稳定工作。 NCE3N170T 工业级 VD MOS New TO-247 N 1700 2.9 4 6 33 187 NCE3N150T

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