没经验，这种布局怎么散热呢？固定的螺丝得从反面拧。。mos发热很大感觉要很大散热面积。或者问一下这种直插的要怎么才能散热好啊

各位大佬有没有知道FYG是什么管的

一款国产100V、250A的MOS管适合用于12V、24V或48V输入的工频逆变器，输出功率可以达到25kW。

酒吧音响的电路设计不在局限于国外电子元器件，国产化MOS管也能达成低导通、高耐压的性能需求。选择一款性格比好的国产MOS管代换IXFK94N50P2场效应管也是电子工程师需要关注

汽车作为中国新产业增长的引擎之一，直接带动整个产业链的发展。而汽车功放则是其中之一，如何提升汽车功放的效果性能呢？

铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET 特征： 120V,200A RDS（ON）<5.5mΩ＠VGS=10V TYP:5.0mΩ RDS（ON）<7.5mΩ＠VGS=6V TYP:6.5mΩ 先进的沟槽电池设计 低热阻 应用： 电机驱动器 直流-直流转换器

描述：AP180N03P/T采用先进的沟槽技术提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作该器件适用于电池保护或其他开关应用 特征：VDS=30V ID =180ARDS(ON) < 3.2mΩ @ VGS=10V （Type：2.1mΩ） 应用：电池保护 负载开关 不间断电源

AP7N65K N-通道增强型 MOSFET特征： 650V,7A RDS（ON）<1.35Ω＠VGS=10V TYP:1.1Ω 快速切换 100%雪崩测试 改进的dv/dt能力 应用： 开关模式电源（SMPS） 不间断电源（UPS） 功率因数校正（PFC）PWM应用

APA65R640FM 超结功率场效应晶体管特征：650V,7ARDS（ON）<640mΩ＠VGS=10V TYP:523mΩ先进的超结技术极低导通电阻应用：功率因子校正（PFC）开关模式电源（SMPS）不间断电源（UPS）LED照明电源

AP100N03P/T 30V N-通道增强模式 MOSFET 描述： AP100N03P/T是采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作 该器件适用于电池保护或其他开关应用 特征： VDS = 30V ID =100 A RDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V （Type：4.5mΩ） 应用： 电池保护 负载开关 不间断电源

光伏逆变器能将光伏太阳能电池板产生的直流电（DC）转换为交流电（AC），在应用中光伏逆变器有多种不同的输入电压规格，包括12V、24V、48V等。

华羿微 HYG160N06LS1D/U/V N- 通道增强型 MOSFET 特征： 60V，38A RDS（ON）<14mΩ@VGS=10V 100% 雪崩测试 100% DVDS 可靠且坚固 提供无卤素和绿色设备（符合 RoHS 标准） 应用： 开关应用 DC-DC 转换器

72V电动车控制器在应用电路中包含电机驱动电路、功率转化电路、保护电路，这三款电路都是需要使用MOS管的。究竟72V电动车控制器怎么选择代换IRFB4410型号MOS管？要考虑什么样的因素

想做mos有没有推荐

清货的有嘛

由于原理图画错了，所以目前需要这种型号的MOS管

小弟刚入行不久，最近的项目需要一款高频mos，做开关用，主要的要求就是开关频率在100MHZ以上，但小弟实了解不多，各位老哥能否推荐几款符合要求的N MOS，跪谢！！

MOS管在电路设计的选择应用一直都在国产化，而对于TOLL封装不仅有IPT015N10N5，更有国产FHL385N1F1A型号MOS管！

出厂年份2018年，KS Wedge bonder楔焊机 超声波铝丝焊线机。型号：powerfusion

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型号: FDD6637 丝印: VBE2309 品牌: VBsemi 参数说明: - MOSFET类型: P沟道 - 额定电压(VDS): -30V - 额定电流(ID): -60A - 开通电阻(RDS(ON)): 9mΩ@10V, 12mΩ@4.5V - 阈值电压(Vth): -1.71V - 封装类型: TO252 应用简介: 这款FDD6637 MOSFET是一款高功率P沟道MOSFET，适用于需要高功率开关和控制的应用。它具有较高的额定电流和适中的额定电压能力，适用于高功率开关和功率转换的应用。 这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块： - 电源管理模块：适用于高功率开关电源、DC-DC变换器、逆

LT8810SL ，LT8810ESL ，LT8810ESL-X ，LT8820ESS ，LT8810ESS ，LT8212ESS-Z ，LT8212ESS ，LT8212ESS-X ，LT8804ESS ，LT2007EDN(B)-C ，LT2007EDN-C ，LT2004EDN-X ，LT2004EDN ，LT2003EDN-X ，LT2003EDN ，LT2400EDN-X ，LT2003EFG ，LT2004EFG ，LT2024EFO ，LT2002EFO-X ，LT8606FF ，LT8202EFF ，LT5005EFF ，LT4424FL ，LT7442FL ，LT4422FL ，LT4422EFL ，LT7444FL ，LT7442EFNT ，LT4420EFNT ，LT4520EFWT ，LT1534EFNT ，LT7408FN ，LT4450FN ，LT7206FJ ，LT6428FJ ，LT7408FJ ，LTS1534FJ ，LT7304FJ ，LTS1534FJT-X ，LTS6015FJ ，LT7328TK ，LT7428TK ，LT8818EFXT ，LT4205FNT 电

IPTG017N12NM6 是一款正常电平 120V N-通道 MOSFET 晶体管，导通电阻为 1.7 mOhm。 IPTG017N12NM6：120V OptiMOS™ 6 功率 N-通道 MOSFET 晶体管，PG-HSOG-8 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Ta），331A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V 功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），395W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：PG-HSOG-8 星际金华，明佳达供应，回收IPTG017N12NM6【M

RCX450N20：200V N通道功率MOSFET晶体管 型号：RCX450N20 封装：TO-220-3 类型：MOSFET晶体管 星际金华，明佳达供应，回收RCX450N20【N通道功率MOSFET晶体管】 产品属性： FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 功率耗散（最大值）：2.23W（Ta），40W（Tc） 工作温度：150°C（TJ） 安装类型：通孔 供应商器件封装：TO-220FM 封装/外壳：TO-220-3

型号ncep039n10m和ncep01t13，顺便看下这两个芯片，综合判断下哪个板子好

SCT3040KRHRC15：汽车级 N-通道SiC功率 MOSFET 晶体管 1、描述： SCT3040KRHRC15 是一款1200V，55A的N通道硅功率功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻 2、产品属性： FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V 功率耗散（最大值）：262W 工作温度：175°C（TJ） 安装类型：通孔 封装/外壳：TO-247-4 3、产品特征： 导通电阻低 开关速度快 快速反向恢复

如题，求助各位大佬

IMZA65R015M2H / IMZA65R050M2H：650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管 型号：IMZA65R015M2H / IMZA65R050M2H 封装：TO-247-4 类型：MOSFET 晶体管 星际金华，明佳达供应，回收IMZA65R015M2H【碳化硅 MOSFET 晶体管】IMZA65R050M2H 一、描述： IMZA65R015M2H / IMZA65R050M2H 是采用 TO-247-4 封装的碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管。 二、产品属性： FET 类型：N 通道 技术：SiC（碳化硅结晶体管） 漏源电压（Vdss）：650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：103A（Tc） 功率耗散（最大值）：341W（Tc） 工作温度：-55°

申矽凌，温度传感器IC: CT75MR， CA9534MTR CT7432MMR CT7117BJ4R CT7318YMMR-D CA9555MTR CT7117FJ4R CT7112BDNR CT7432YMMR-E CA9617MMR CT7112BDNR CT7481MMR CA9555MTR CT7112CKT6R CT7481MMR 吉妮商贸

主打以先进封装和超低内阻为主，市面常规封装都有