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2024-11-07
SiC MOSFET 芯片1700V 45mΩ
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应用 Applications • 太阳能逆变器 Solar Inverters • 开关电源 Switch Mode Power Su...
2024-10-31
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南瑞半导体以人类能源的高效利用为使命,始终坚持科技创新,逐步攻克器件端多个技术难...
2024-10-15
igbt吧吧主竞选:NO.0001号候选人
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申请人:@立晶科技 申请感言:申请感言:感谢贴吧管理及各位吧友给予我这次竞选吧主的...
2024-10-14
南瑞半导体:拥有IGBT和 SiC 功率半导体整体解决方案
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#IGBT##SIC MOS#南京南瑞半导体有限公司成立于 2019年,总部位于江苏省南京市,致力于...
2024-10-09
半导体行业客户拜访注意事项?
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2024-09-30
南瑞半导体-1700V 150A FRD 芯片
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特点 Features • 宽的安全工作区Wide safe working area • 参数一致性好Good consiste...
2024-09-27
国网南瑞半导体——1700V 200A IGBT 芯片
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应用 Applications • 大功率变流器High Power Converters • 电机传动Motor Drives • ...
2024-09-26
国网南瑞半导体---1700V 150A IGBT 芯片
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##IGBT#应用 Applications • 大功率变流器High Power Converters • 电机传动Motor Dri...
2024-09-25
南瑞半导体——IGBT芯片1200V 150A
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特点 Features • 低开关损耗 High Switching Frequency • 高可靠性 High Reliability ...
2024-09-24
1700V 600A IGBT 模块, E6封装, 内置续流二极管
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国电南瑞半导体——IGBT模块 特点 Features • 低开关损耗Low Switching Loss • 高可靠...
2024-09-23
南瑞IGBT 3300V 1500A IGBT 模块, H封装, 内置续流...
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3300V 1500A IGBT 模块, H封装, 内置续流二极管 特点 Features • 低饱和压降Low VCE(...
2024-09-20
国电南瑞半导体——SIC MOS芯片
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DCD20P12K2_H 1200V 20A SiC肖特基二极管, 芯片 特点 Features • 工作频率高High-Freq...
2024-09-19
1200V 20A SiC肖特基二极管
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特点 Features • 高温度稳定性High Temperature Stability • 开关损耗趋零Essentiall...
2024-08-15
1700V 450A IGBT 模块, E6 封装, 内置续流二极
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特点 Features • 低开关损耗Low Switching Loss • 高可靠性High Reliability • 正温度...
2024-08-14
1700V 200A IGBT 模块, C6 封装, 内置续流二极管
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特点 Features • 低开关损耗,快速开关 Low Switching Loss, Fast Switching • 快速和...
2024-08-12
1700V 200A FRD 芯片
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DD200S17F4_02_A 特点 Features • 宽的安全工作区• Wide safe working area • 参数一...
2024-08-09
南瑞半导体产品命名规则
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2024-08-08
产品名称:DD150S12F4_01_A
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DD150S12F4_01_A 1200V 150A FRD 芯片 1200V 150A FRD Chip 应用 Applications • 大功...
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