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2024-09-21
铨力MOS电子元器件采购吧
铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET 特征：120V,200ARDS（ON）<5.5mΩ＠VGS=10V T...
2024-09-21
铨力MOS电子元器件吧
铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET 特征：120V,200ARDS（ON）<5.5mΩ＠VGS=10V T...
2024-09-21
铨力MOS电源管理吧
铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET 特征：120V,200ARDS（ON）<5.5mΩ＠VGS=10V T...
2024-09-21
铨力MOSmos管吧
铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET 特征：120V,200ARDS（ON）<5.5mΩ＠VGS=10V T...
2024-09-21
铨力MOS芯片组吧
铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET 特征：120V,200ARDS（ON）<5.5mΩ＠VGS=10V T...
2024-09-21
铨力MOS芯片吧
铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET 特征：120V,200ARDS（ON）<5.5mΩ＠VGS=10V T...
2024-09-21
铨力MOSmos吧
铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET 特征： 120V,200A RDS（ON）<5.5mΩ＠VGS=10V...
2024-09-20
AP180N03P/T 30V N沟道增强型MOSFETmos吧
描述：AP180N03P/T采用先进的沟槽技术提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅...
2024-09-20
AP180N03P/T 30V N沟道增强型MOSFET芯片组吧
描述：AP180N03P/T采用先进的沟槽技术提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅...
2024-09-20
AP180N03P/T 30V N沟道增强型MOSFETmos管吧
描述： AP180N03P/T采用先进的沟槽技术提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的...
2024-09-20
AP180N03P/T 30V N沟道增强型MOSFET芯片吧
描述： AP180N03P/T采用先进的沟槽技术提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的...
2024-09-20
AP180N03P/T 30V N沟道增强型MOSFET电源管理吧
描述： AP180N03P/T采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的...
2024-09-20
AP180N03P/T 30V N沟道增强型MOSFET电子元器件吧
描述： AP180N03P/T采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的...
2024-09-20
AP180N03P/T 30V N沟道增强型MOSFET永源微mos管吧
描述： AP180N03P/T采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的...
2024-09-20
AP180N03P/T 30V N沟道增强型MOSFET电子元器件采购吧
描述： AP180N03P/T采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的...
2024-09-19
铨力MOS AP7N65K电子元器件采购吧
AP7N65K N-通道增强型 MOSFET特征：650V,7ARDS（ON）<1.35Ω＠VGS=10V TYP:1.1Ω快速...
2024-09-19
铨力MOS AP7N65K电子元器件吧
AP7N65K N-通道增强型 MOSFET特征：650V,7ARDS（ON）<1.35Ω＠VGS=10V TYP:1.1Ω快速...
2024-09-19
铨力MOS AP7N65K电源管理吧
AP7N65K N-通道增强型 MOSFET特征：650V,7ARDS（ON）<1.35Ω＠VGS=10V TYP:1.1Ω快速...
2024-09-19
铨力MOS AP7N65K芯片吧
AP7N65K N-通道增强型 MOSFET特征：650V,7ARDS（ON）<1.35Ω＠VGS=10V TYP:1.1Ω快速...
2024-09-19
铨力MOS AP7N65Kmos管吧
AP7N65K N-通道增强型 MOSFET特征：650V,7ARDS（ON）<1.35Ω＠VGS=10V TYP:1.1Ω快速...