首先工件表面材料与抛光液中的氧化剂、催化剂等发生化学反应，生成一层相对容易去除的软质层，然后在抛光液中磨料和抛光垫的机械作用下去除软质层，使工件表面重新裸露出来，然后再进行化学反应，这样在化学作用过程和机械作用过程的交替中完成工件表面抛光。化学机械抛光技术（CMP）是集成电路制造中获得全局平坦的一种手段，其目的是为了能够获得既平坦、又无划痕和杂质玷污的表面。安集公司的产品需求量较大的原因，在于下游集成电路应用规模的不断扩张，而集成电路抛光液又是该制造领域不可或缺的一部分。