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AP180N03P/T 30V N沟道增强型MOSFET

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描述:
AP180N03P/T采用先进的沟槽技术
提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作
该器件适用于电池保护或其他开关应用
特征:
VDS=30V ID =180A
RDS(ON) < 3.2mΩ @ VGS=10V (Type:2.1mΩ)
应用:
电池保护
负载开关
不间断电源


IP属地:广东来自Android客户端1楼2024-09-20 11:40回复