龙玺精密-二手半导体设备买卖翻新~ KLA SURFSCAN SFS6220颗粒检测仪 DISCO DFG850研磨机 ACCRETECH UF3000EX探针台 DISCO DAD3240划片机 ACCRETECH UF200探针台 OXFORD PLASMAPRO 100ICP蚀刻系统 LAM TCP9600SE等离子体刻蚀机 DISCO DAG810研磨机 TEL MARK7涂胶显影机 DISCO DAD3350晶圆切割机 KLA Candela 8420表面缺陷检测系统 DISCO DFG8540研磨机 AMAT Endura 5500 MOCVD气相沉积 TEL ALPHA 8S扩散炉 DISCO DFG850研磨机 KLA Surfscan SP2晶圆检测系统 TEL MARK8涂胶显影机 DISCO DFD6350切割机 DISCO DFG 8560研磨机 DISCO DFG840研磨

这是一款最低温取决于所用冷却液的类型和温度的冷却机，测试温度可以控制在-65℃到+200℃之间。空气温度为+25ºC时，低温温度为+20ºC；水温度为+25ºC时，低温为+5ºC。极限低温指定在空载时，卡盘保持在静止空气环境中，最大温度为+25℃。当卡盘直径增大时，极限低温可能会随着时间的推移而降低。对于直径为200mm的ThermoChuck配置，极限低温可降低至5ºC。冷却液管路集成、布线和长度将影响低温性能。 该系统因其紧凑的冷却机组、极小的占地面积、

引言 碳化硅（SiC）作为一种高性能的半导体材料，因其卓越的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延片的制造过程中，表面污染物的存在会严重影响外延片的质量和性能。因此，采用高效的化学机械清洗方法，以彻底去除SiC外延片表面的污染物，成为保证外延片质量的关键步骤。本文将详细介绍SiC外延片的化学机械清洗方法，包括清洗步骤、所用化学试剂及工具、以及该方法在SiC外延片

美国,Logosol,LS-231,LS-2315,LS-2310,LS-2317,CNC 控制系统组件 CNC-SK-2310g2 适用于 CNC 机器的运动控制系统。它是一款 I/O 控制器，具有专用接口，用于监督电机电源、主轴、安全区域传感器、工作区域防护盖、换刀器等设备。 CNC-SK-2310g2 设计为 Logosol 分布式控制网络（LDCN）的一部分。 零速自动化等级安全模式在没有严格安全要求的应用中提供灵活性。 LS-231 多功能伺服驱动器 LS-231 是一款全数字化多功能单轴伺服控制器，集成了功率放大器，设计用于需要正弦控

美国,logosol,LRC-x31g3,LRC-x31g2,MCL5,WHP,H1,H3,H4,H5,E5,晶圆处理平台 晶圆处理平台 Logosol 晶圆处理平台涵盖了多种产品和服务，源自超过 30 年的半导体自动化经验。其技术包括硬件、软件、机械设计、制造、集成和应用工程。公司设计的晶圆处理机器人和预对准器，旨在满足需要在半导体制造厂内替换旧产品的应用需求，并支持OEM制造商的新开发资本设备中的自动化物料处理。这些产品线使用完全由 Logosol 拥有和控制的技术，包括运动控制电子、晶圆处理固

美国,Logosol,LPA12FS-3,独立晶圆预对准器描述： 独立晶圆预对准器 创新的高性能一体化设计，消除了外部控制器和连接电缆，同时保持与现有系统的兼容性 基于专有设计的快速交换功能，允许在针脚水平以下进行晶圆夹具装载 先进的扫描电子技术能够在不进行机械重新定位的情况下检测透明、半透明和不透明物体，适用于不同晶圆尺寸 运动控制软件包含一整套常用命令，支持与多种半导体平台的兼容性和接口 典型对准周期时间小于五秒，帮助实现最

美国LOGOSOL,晶圆寻边机,aligner,预对准,定位巡边wafer,LPA 型号：LPA6EH-3,LPA8ET-3, LPA8EH-3, LPA12ET-3,LPA68EH-3,LPA812EH-3 美国,Logosol,LPA6EH-3-REHV1-S29-S(B)-R560V-NE,独立边缘处理预对准器描述： 独立边缘处理预对准器，适用于150mm晶圆,V信：Judylin1020 减小接触的边缘处理预对准器，适用于150mm晶圆 对准能力：标准150mm晶圆，150mm平晶圆，透明及半透明基板 接触区：边缘接触，接触宽度为1mm 减小接触的边缘处理预对准器能够容忍更大的初始偏移量（最多可达6mm） 美国,Logosol,LP

美国,Logosol,LPA26-3,独立式晶圆预对准器，创新的高性能一体化设计，消除了外部控制器和连接电缆，同时保持了与现有系统的兼容性。采用超低惯性无刷电机驱动，实现平稳、即时的响应。 先进的扫描电子技术能够在不同晶圆尺寸之间无需机械重新定位，检测透明、半透明和不透明物体。运动控制软件具有一整套常用命令，支持与多种半导体平台的兼容和接口。 典型对准周期时间少于四秒，有助于实现最大系统吞吐量。V信：Judylin1020 美国,Logosol,LPA312-

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Logosol,LPA812EH-3-REHV1-S38-S(B)-R820V-NE-C(X,Y),晶圆预对准器,适用于两种晶圆尺寸,边缘接触区小于1毫米，并具有三种不同的针配置。 C型（十字）配置：提供最均匀的晶圆支撑，并且从三个侧面具有相等的接入空间。 X型配置：为超过6英寸宽的末端执行器提供空间，并且从两个侧面具有相等的接入空间。 Y型配置：与晶圆的物理接触最小（仅在旋盘和针上有3个接触点），并且从两个侧面具有相等的接入空间。 接口入口：侧面（可选底部） LPA812EH-3-REHV1-S38-S(B)-R

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引言 碳化硅（SiC）外延晶片因其卓越的物理和化学特性，在功率电子、高频通信、高温传感等领域具有广泛应用。在SiC外延晶片的制备过程中，硅面贴膜是一道关键步骤，用于保护外延层免受机械损伤和污染。然而，贴膜后的清洗过程同样至关重要，它直接影响到外延晶片的最终质量和性能。本文将详细介绍碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，包括其重要性、常用清洗步骤、所用化学试剂及其作用，以及清洗后的质量评估。 清洗方法的重要性 碳

一、晶圆测试简介 晶圆测试，英文全称：Wafer Acceptance Test，简称：WAT。在晶圆加工过程中进行的测试，晶圆厂可以在早期识别晶圆加工中的问题，如掺杂浓度不一致、光刻问题或蚀刻缺陷等，从而及时调整生产过程，避免大规模生产不良产品。WAT是在晶圆水平上进行的，目的是在芯片切割和封装之前发现并排除制程中产生的缺陷。在这个阶段，测试是通过探针卡连接到芯片上的测试点来进行的。探针卡上有成百上千的小针脚，这些针脚与芯片上的测

Logosol的经过时间考验的技术和高可靠性标准是行业中最广泛的预对准器系列的基础。预对准器产品系列支持处理从45毫米到480毫米的对象，具有任何透明度水平，从不透明到完全透明。Logosol独特的一体化设计和多功能控制软件使其能够与各种半导体平台实现即插即用的兼容性和接口。 独立式 自主设备，用于对45毫米至480毫米的对象进行高精度对准，包括正方形和双层基板，具有单元处理多种尺寸对象而无需机械重新定位、夹具负载和销负载模式以及

TC-A系列是一款温度范围为-60℃到+200℃（可选+300℃）气冷型高低温晶圆卡盘系统，主要由空气冷却卡盘和温控器组成。系统具有宽泛的温度控制范围、紧凑的冷却套件、纯空气制冷、高温度精度与稳定性控制等特性，广泛应用于各种尺寸（4”,6”,8”12”）的半导体器件或晶圆的变温电学性能关键参数分析，如：功率器件建模测试、晶圆可靠性评估、生产型变温检测，变温光电测试、射频变温测试等。同时，我们采用高品质的材料和制造工艺，确保系

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在半导体领域，随着碳化硅（SiC）材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角，成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择，对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中，碳化硅衬底的 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）测量精度直接影响后续芯片加工工艺的良率与性能，而不同的吸附方案在这一测量过程中扮演着举足轻重的角色，环吸方案更是以其独特性与其他吸附方案形成鲜明对比，对测量结果产生着显著影响。 一、常见

一、硅晶圆是什么？ 硅晶圆就是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片。晶圆是制造IC的基本原料。 由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。 晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液内掺入一小粒的硅晶体晶种，然后

在半导体制造领域，晶圆的加工精度和质量控制至关重要，其中对晶圆 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）的精确测量更是关键环节。不同的吸附方案被应用于晶圆测量过程中，而晶圆的环吸方案因其独特设计，与传统或其他吸附方案相比，对 BOW/WARP 测量有着显著且复杂的影响。 一、常见吸附方案概述 传统的吸附方案包括全表面吸附、边缘点吸附等。全表面吸附利用真空将晶圆整个底面紧密贴合在吸盘上，能提供稳定的吸附力，确保晶圆在测量时位置固

一、引言 随着半导体技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种具有优异物理和化学性质的材料，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延片是实现高性能SiC器件制造的关键。钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置作为一种先进的生长设备，以其独特的结构和高效的生长性能，成为制备高质量SiC外延片的重要工具。本文将详细介绍钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置的结构、工作原理及其在应用中

高低温载物台CHUCK是一款温度范围为-65℃到200℃气冷型高低温卡盘系统，主要由气冷高低温卡盘和气冷温控器组成。系统具有宽泛的温度控制范围、紧凑的冷却套件、纯空气制冷、高温度精度与稳定性控制等特性，广泛应用于八英寸及以下尺寸的半导体器件或晶圆的变温电学性能关键参数分析，如：功率器件建模测试、晶圆可靠性评估、生产型变温检测，变温光电测试、射频变温测试等。 高低温载物台CHUCK的特点 • 仅使用空气冷却—无液体或帕尔贴

深圳立仪科技有限公司是专业生产光纤同轴位移传感器,激光位移传感器,光谱共焦传感器,高精度激光位移传感器,国产激光位移传感器,光纤同轴位移计，光谱共焦位移计厂家,提供光谱共焦传感器,白光共焦,彩色激光同轴位移计,激光位移传感器的光谱共焦位移传感器厂家.其精度达到0.1微米，且非接触式测量，产品已广泛用在半导体硅片、锗、碳化硅、氮化镓、第三代半导体材料厚度、平面度、晶圆翘曲、蚀刻深度、分割槽深度等测量深圳立仪科技有限

碳化硅（SiC）作为一种具有优异物理和化学性质的半导体材料，在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延生长是实现高性能SiC器件制造的关键环节。然而，SiC外延生长过程对温度、气氛、衬底质量等因素极为敏感，因此需要设计一种高效、稳定的高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法，以满足工业生产的需求。 装置结构 高温大面积碳化硅外延生长装置主要由以下几个部分组成：密闭工作室、石

随着碳化硅（SiC）材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用，高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段时间内的主流尺寸，其外延生长室的结构设计直接关系到外延层的质量和生产效率。本文将详细介绍一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室的结构及其特点。 结构概述 8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构主要由以下几个部分组成：外延生长室、硬质保温层、导气管连接器、上游导气管和下游

一、引言 沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层，以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中，不仅要保证外延层的填充率，还要避免空洞和缺陷的产生，从而确保器件的稳定性和可靠性。 二、外延填充方法 1. 实验准备 在进行外延填充之前，首先需要通过实验确定外延生长和刻蚀的工艺参数。这通常包括使用与待填充的碳化硅正式片具有相同沟槽结构的生长实验片和刻蚀实验片进行试验。 生

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一、碳化硅衬底TTV控制的重要性 碳化硅衬底的TTV是指衬底表面各点厚度最高点与最低点之间的差值。TTV的大小直接影响后续研磨、抛光工序的效率和成本，以及最终产品的质量和性能。因此，在碳化硅衬底的加工过程中，TTV控制是至关重要的一环。 二、硅棒安装机构的设计原理 为了有效控制碳化硅衬底的TTV，我们设计了一种新型的硅棒安装机构。该机构通过精确控制硅棒的定位和固定方式，确保在切割过程中硅棒能够稳定、均匀地转动，从而减少切

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晶圆的TTV、BOW、WARP、TIR是评估晶圆质量和加工精度的重要指标，以下是它们的详细介绍： TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差） 定义：晶圆的总厚度变化，指晶圆在其直径范围内的最大和最小厚度之间的差异。 测量方法：晶圆在未紧贴状态下，测量晶圆中心点表面距离参考平面的最小值和最大值之间的偏差，偏差包括凹形和凸形的情况。凹形弯曲度为负值，凸形弯曲度为正值。 重要性：TTV用于评估晶圆的厚度均匀性，确保晶圆在加工过程中厚度分

低温冷气机 Air Cooling System GC60气体制冷机是一种闭环制冷系统，设计用于将干燥气体(如氮气，氩气或空气)从环境温度冷却到低温，而无需预令。气体是非循环的。 低温冷气机 Air Cooling System GC60应用： 电子产品的低温性能验证 半导体加工部件冷却 晶圆卡盘的低温冷却 真空腔室的冷气体充注 流变学研究 材料的低温表征实验

单面抛光吸附垫是抛光技术领域中的一种重要配件，主要用于晶圆等半导体材料的单面抛光过程中。以下是对单面抛光吸附垫的详细介绍： 一、定义与功能 单面抛光吸附垫是指放置在抛光机器上的一层具有吸附性的材料，通常为橡胶或其他特殊材质制成。它的主要功能是吸附抛光过程中产生的粉尘和碎屑，防止它们进入机器内部导致故障，同时确保抛光面的清洁和平整，从而提高抛光效率和产品质量。 二、材质与特性 材质：单面抛光吸附垫的材质

基于石英玻璃外延GaN的工艺改进方法主要包括以下几个方面： 一、晶圆片制备优化 多次减薄处理： 采用不同材料的浆液和磨盘对石英玻璃进行多次减薄处理，可以制备出预设厚度小于70μm且厚度均匀性TTV为±0.5μm的晶圆片结构。 这种方法避免了石英玻璃本身机械性能脆弱易导致晶圆片结构碎裂的风险，同时保证了晶圆片结构正面电路的完整性。 抛光处理： 对多次减薄处理后的石英玻璃进行抛光处理，可以使表面粗糙度小于预设阈值，如表面粗糙度Ra

改善晶圆出刀TTV（Total Thickness Variation，总厚度变化量）异常的加工方法主要包括以下几种： 一、设备调整与优化 主轴与承片台角度调整 通过设备自动控制，进行工艺角度调整，减小晶圆TTV值。这通常涉及调整主轴或承片台的角度，使磨轮与承片台之间呈一定的夹角，以获得较好的晶圆减薄表面质量并控制TTV。 设备精度校准 确保设备的精度，包括导轮径向跳动和轴向跳动的校准，以减少因设备精度问题导致的TTV异常。 二、磨削工艺优化 磨削参数调

去除晶圆键合边缘缺陷的方法主要包括以下几种： 一、化学气相淀积与平坦化工艺 方法概述： 提供待键合的晶圆。 利用化学气相淀积的方法，在晶圆的键合面淀积一层沉积量大于一定阈值（如1.6TTV）的氧化物薄膜。 对氧化物薄膜进行致密化工艺。 对经致密化工艺后的氧化物薄膜进行平坦化工艺，确保平坦化的研磨量和氧化物薄膜的剩余量满足一定条件（如平坦化的研磨量大于0.9TTV，氧化物薄膜的剩余量大于0.4TTV）。 进行晶圆键合。 优点： 通过淀

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