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1最近导师让看半导体物理与器件这本书 网上要卖100多有点贵了 有没有哥分享一下pdf版的
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3211本华五硕,导师方向是氮化镓单晶材料生长及表征和氮化镓光电性质调控,不知道出来就业情况怎么样啊
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13半导体物理第七版这本书到底哪几张最难啊,现在学到第五章复合快吐了,各种复合率寿命公式记不过来
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3一本征半导体为例,本征半导体费米能级在禁带中线,功函数是溢出到表面的最小能量。可是最小能量不应该是价带顶到真空能级吗,因为他电子占据的最高能级就是价带顶
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1安集科技的安全生产管理
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0这里空穴是多子,Ef应该更靠近Ev才对吧,为啥答案是靠近Ec,求大佬解答
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1积极履行社会责任
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0粒子的总能量E=hv (在薛定谔方程中求只与时间有关的波函数) 一个非相对论性粒子的能量E=p平方/2m 这两个E所代表的能量有关系吗 有点懵
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0请问在没学完半导体物理的情况下(基础了解,但没深入学习),想要直接学功率半导体器件能行吗?
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1快期末了,要背题但是大题计算不会做,求个大神帮忙做一下计算,一共四道大题谢酬300元,有没有大神
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51.什么时候能判断远远大于? 2.如果没有这么判断得出的结果算错吗? 3.计算过程中得出的数(不是最终结果)一般四舍五入到小数点后几位?
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1半导体中电子分布遵循玻尔兹曼分布函数(即电子分布不受泡利不相容原理限制,是因为当EF- E》kT时,随着能量的升高电子占据几率非常低就等于不受影响。在半导体中(虽然EF-E》kT)但是导带底的电子不是还会受泡利原理限制吗?
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2金半接触距离间隙很小的时候,半导体体内指向体表的电场是怎么来的啊,表面不是正电荷,体内是负电荷,电场方向不是由正电荷指向负电荷吗,只用电场连续性不是很能理解这个电场到底是怎么来的
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2求助求助 正向偏压时耗尽层空穴电流为什么大于电子电流啊
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05.3这道题目,感觉只依靠:σ=eμn(因为已经知道是n型半导体,电导率取决于多子已经把少子部分忽略)求不出来。
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1这个少子寿命我不是很能理解
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1大注入正偏压下,空穴扩散区电子发生扩散运动,空穴也随之发生扩散运动扩散区不是依旧能维持电中性吗,为什么还会产生电场呢
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1我在画异质结能带图的时候,怎么判断两边的弯曲程度谁大谁小呀,怎么判断费米能力到底在哪里呀,怎么判断弯曲后哪个能带在费米能级上方,哪个在下方呀家人们
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2设晶格常数为a(一维晶格),为什么波矢K=1/2a?为什么电子从能带底运动到能带顶波矢变化是从0到1/2a而不是π/啊。把我搞糊涂了.网友们帮帮忙
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0有没有佬能直接解出来Ef的一般解析式
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1专业课辅导,初试复试真题。
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0金属和p型半导体行成mis结构的时候,耗尽,反型,这些情况中导带的电子是从哪里来的啊,是导带中很少的电子积累过来的吗;深耗尽时,空间电荷层内少数载流子产生速率赶不上电压变化是不是指的是,导带中的电子还来不及在半导体表面累积,然后半导体体内价带较高能级的电子往表面层方向移动,填充受主的空穴,行成受主负电荷。
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1是较新的那一版,不是什么学习辅导与典型题解
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