参数 参数值
商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 460nC @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14240pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
系列 HEXFET®,StrongIRFET™
驱动电压@rds On（Max),Rds On(Min） 6V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 460nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 14240pF @ 25V
Rds On(Max）@Id,Vgs 1.3m Ohms@100A,10V
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 40V
连续漏极电流Id 409A
封装/外壳 TO-220AB
