NTHL067N65S3H：N通道晶体管 通孔 650V TO-247-3
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
功率耗散：266W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
NVMFS014P04M8LT1G：P通道晶体管 40V 表面贴装型 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
功率耗散：3.6W（Ta），60W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
器件：NTHL067N65S3H，NVMFS014P04M8LT1G [MOSFET晶体管]
型号：NTHL067N65S3H，NVMFS014P04M8LT1G（供求）
封装：TO-247-3，8-PowerTDFN
类型：晶体管
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