🔬 精准薄膜制备：提供了卓越的薄膜均匀性。采用最先进的真空蒸发技术，这些铟球可以在基板上形成高度一致和均匀的薄膜，其均匀度误差控制在±3%以内。
💎 超高纯度：纯度高达99.99%，确保了薄膜的高质量和优异电学性能。高纯度铟球在薄膜生长过程中极大地降低了杂质的引入，从而提高了薄膜的导电性和透明度。
🌡️ 独特的熔点特性：熔点为156.6°C，这一独特的低熔点使其在温和条件下就能轻松蒸发，非常适合在敏感材料上制备薄膜。
🔋 广泛的应用领域：高纯度铟球是制备透明导电膜（TCO）、光伏电池、LED和半导体器件的理想材料。它们在提升设备性能和可靠性方面发挥着关键作用。
📈 精确数值数据：铟球平均直径：2mm，密度：7.31 g/cm³，电阻率：8.37 µΩ·cm，熔点：156.6°C。