说明
IMZA120R007M1H采用TO247-4封装的1200V 7mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。
系列： CoolSiC™
FET 类型： N 通道
技术： SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）： 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 225A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.9 毫欧 @ 108A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.2V @ 47mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC @ 18 V
Vgs（最大值）： +20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9170 nF @ 25 V
功率耗散（最大值）： 750W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： PG-TO247-4-8
出售和收购电子芯片IMZA120R007M1H碳化硅MOSFET、IPT014N10N5 N-通道功率MOSFET，只收原装，散新翻新均不考虑，有原厂外包装则优先！
IPT014N10N5：是英飞凌的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET，1.4 mOhm，100 V，采用 TO-Leadless (TOLL) 封装，具有 362 A 的高电流能力（ID @25˚C）。采用 TOLL 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 面向电动工具、轻型电动汽车和电池管理系统。
系列： OptiMOS™
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 362A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
安装类型： 表面贴装型
供应商器件封装： PG-HSOF-8-1
特征描述
最高电流能力 >360 A
输出电容降低达 44
极低的封装寄生和电感
优势
所需并联和冷却更少
最高的系统可靠性
降低系统成本
实现非常紧凑的设计
潜在应用
电动工具
低压驱动
轻型电动汽车
电池管理系统
IMZA120R007M1H采用TO247-4封装的1200V 7mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。
系列： CoolSiC™
FET 类型： N 通道
技术： SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）： 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 225A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.9 毫欧 @ 108A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.2V @ 47mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC @ 18 V
Vgs（最大值）： +20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9170 nF @ 25 V
功率耗散（最大值）： 750W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： PG-TO247-4-8
出售和收购电子芯片IMZA120R007M1H碳化硅MOSFET、IPT014N10N5 N-通道功率MOSFET，只收原装，散新翻新均不考虑，有原厂外包装则优先！
IPT014N10N5：是英飞凌的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET，1.4 mOhm，100 V，采用 TO-Leadless (TOLL) 封装，具有 362 A 的高电流能力（ID @25˚C）。采用 TOLL 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 面向电动工具、轻型电动汽车和电池管理系统。
系列： OptiMOS™
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 362A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
安装类型： 表面贴装型
供应商器件封装： PG-HSOF-8-1
特征描述
最高电流能力 >360 A
输出电容降低达 44
极低的封装寄生和电感
优势
所需并联和冷却更少
最高的系统可靠性
降低系统成本
实现非常紧凑的设计
潜在应用
电动工具
低压驱动
轻型电动汽车
电池管理系统
