【供应，收购】氮化镓晶体管（600V）IGLR60R340D1XUMA1 表面贴装型 N通道MOSFET
说明
IGLR60R340D1XUMA1 CoolGaN™ 600V栅极注入技术 (GIT) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有快速导通和关断速度，开关损耗最小。该系列GaN增强模式功率晶体管采用ThinPAK 5x6表面贴装封装，非常适合用于需要无需散热片的紧凑型器件的应用。
产品属性
产品种类: MOSFET
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 8.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 340 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 900 mV
Qg-栅极电荷: 1.2 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 41.6 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolGaN
系列: CoolGaN 600V
配置: Single
下降时间: 40 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 6 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
说明
IGLR60R340D1XUMA1 CoolGaN™ 600V栅极注入技术 (GIT) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有快速导通和关断速度，开关损耗最小。该系列GaN增强模式功率晶体管采用ThinPAK 5x6表面贴装封装，非常适合用于需要无需散热片的紧凑型器件的应用。
产品属性
产品种类: MOSFET
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 8.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 340 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 900 mV
Qg-栅极电荷: 1.2 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 41.6 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolGaN
系列: CoolGaN 600V
配置: Single
下降时间: 40 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 6 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
