NTP011N15MC：150V N-通道 MOSFET 晶体管
型号：NTP011N15MC
封装：TO-220-3
类型：MOSFET 晶体管
星际金华，明佳达供应，回收NTP011N15MC【MOSFET 晶体管】
一、描述：
NTP011N15MC 是150V N-通道屏蔽栅极功率沟槽 MOSFET 晶体管。
二、主要特性：
屏蔽栅 MOSFET 技术
在 VGS = 10 V、ID = 41 A 时，最大 RDS(on) = 10.9 m
Qrr 比其他 MOSFET 供应商低 50
降低开关噪声/EMI
三、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.8A（Ta），74.3A（Tc）
功率耗散（最大值）：2.4W（Ta），136.4W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
型号：NTP011N15MC
封装：TO-220-3
类型：MOSFET 晶体管
星际金华，明佳达供应，回收NTP011N15MC【MOSFET 晶体管】
一、描述：
NTP011N15MC 是150V N-通道屏蔽栅极功率沟槽 MOSFET 晶体管。
二、主要特性：
屏蔽栅 MOSFET 技术
在 VGS = 10 V、ID = 41 A 时，最大 RDS(on) = 10.9 m
Qrr 比其他 MOSFET 供应商低 50
降低开关噪声/EMI
三、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.8A（Ta），74.3A（Tc）
功率耗散（最大值）：2.4W（Ta），136.4W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
