概览
为人工智能 (AI) 和第五代移动通信技术 (5G) 的时代装备移动设备。动态随机存取存储器 (DRAM) 和 NAND 闪存整合在单一紧凑的封装内，提供旗舰级性能。LPDDR5 uMCP 带来了高带宽存储和内存，这对于智能手机、可穿戴设备和人工智能技术日益密集的数据需求至关重要。占用更少的空间，并为不断增长的 5G 世界提供能力。
产品描述：
三星首款LPDDR5 uMCP将量产并用于中高端智能手机。LPDDR5基于UFS多芯片封装的LPDDR5，与上一代产品相比，三星uMCP集成了目前三星产品中最快的LPDDR5 DRAM和最新的UFS 3.1 NAND闪存，可为更多的智能手机用户提供旗舰性能。
1、KM8F9001MM-B830 LPDDR5 uMCP规格：
eStorage 密度：256 GB
eStorage 版本：UFS2.2
DRAM 密度：96 Gb
DRAM 类型：LPDDR4X
封装：254 FBGA
速率：4266Mbps
2、KM4X60002M-B321规格：
eStorage 密度：32 GB
eStorage 版本：eMMC 5.1
DRAM 密度：24 Gb
DRAM 类型：LPDDR4X
封装：254 FBGA
速率：4266Mbps
（供应）（收购）三星存储器 KM8F9001MM-B830，KM4X60002M-B321 LPDDR5 uMCP 多制层封装芯片
为人工智能 (AI) 和第五代移动通信技术 (5G) 的时代装备移动设备。动态随机存取存储器 (DRAM) 和 NAND 闪存整合在单一紧凑的封装内，提供旗舰级性能。LPDDR5 uMCP 带来了高带宽存储和内存，这对于智能手机、可穿戴设备和人工智能技术日益密集的数据需求至关重要。占用更少的空间，并为不断增长的 5G 世界提供能力。
产品描述：
三星首款LPDDR5 uMCP将量产并用于中高端智能手机。LPDDR5基于UFS多芯片封装的LPDDR5，与上一代产品相比，三星uMCP集成了目前三星产品中最快的LPDDR5 DRAM和最新的UFS 3.1 NAND闪存，可为更多的智能手机用户提供旗舰性能。
1、KM8F9001MM-B830 LPDDR5 uMCP规格：
eStorage 密度：256 GB
eStorage 版本：UFS2.2
DRAM 密度：96 Gb
DRAM 类型：LPDDR4X
封装：254 FBGA
速率：4266Mbps
2、KM4X60002M-B321规格：
eStorage 密度：32 GB
eStorage 版本：eMMC 5.1
DRAM 密度：24 Gb
DRAM 类型：LPDDR4X
封装：254 FBGA
速率：4266Mbps
（供应）（收购）三星存储器 KM8F9001MM-B830，KM4X60002M-B321 LPDDR5 uMCP 多制层封装芯片
