FF2000UXTR33T2M1：碳化硅 MOSFET 模块 - 3.3kV、1.9mΩ，CoolSiC™ MOSFET 半桥模块
型号：FF2000UXTR33T2M1
封装：模块
类型：碳化硅 MOSFET 模块
FF2000UXTR33T2M1 - 产品规格：
系列：CoolSiC™
技术：碳化硅（SiC）
配置：2 个 N 通道（半桥）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：3300V（3.3kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：925A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.4 欧姆 @ 1kA，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 900mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：5000nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：203000pF @ 1.8kV
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
星际金华，明佳达【供应】【回收】FF2000UXTR33T2M1（碳化硅 MOSFET 模块）FF2600UXTR33T2M1。
FF2600UXTR33T2M1（碳化硅 MOSFET 模块）：3.3kV，2.5mΩ，XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 半桥模块
型号：FF2600UXTR33T2M1
封装：模块
类型：碳化硅 MOSFET 模块
FF2600UXTR33T2M1 - 产品属性：
产品种类：MOSFET模块
技术：碳化硅（SiC）
安装类型：底座安装
晶体管极性：N-通道
Vds-漏源极击穿电压：3.3kV
Id-连续漏极电流：720A
Rds On-漏源导通电阻：3.1mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 7V, + 20V
Vgs th-栅源极阈值电压：3.45V
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）