据TechSpot报道，采用高NA EUV光刻机对于台积电发展2nm以下工艺至关重要。高NA EUV将数值孔径从0.33提高到0.55，从而实现更高的晶圆分辨率。根据台积电的路线图，高NA EUV光刻机将集成到其A14（1.4nm）工艺节点中，该节点预计将于2027年投入量产。这些先进的光刻机不会立即投入使用。在将其集成到大批量生产之前，需要进行广泛的测试、微调和工艺优化。到这些机器全面投入使用时，台积电预计将已发展到其 A10 (1nm) 工艺节点，代表着几代技术的进步。这个时间表与台积电更广泛的芯片工艺开发路线图相一致。这些更新涉及的准备成本会随着每个连续节点的开发而增加，这反映了先进工艺日益复杂的特点。每台高数值孔径EUV光刻机售价约为3.84亿美元，但台积电在EUV光刻机领域的技术领先地位有望吸引更多寻求先进芯片制造能力的高端客户。这可能会进一步拉大台积电与其竞争对手，尤其是韩国三星电子之间的差距。台积电已经凭借其当前的标准孔径 EUV 技术建立了坚实的基础。

台积电N2技术将成为业界在密度和能源效率上最为先进的半导体技术，并采用领先的纳米片晶体管结构，其效能及功耗效率皆达到一个新层次，以满足高效能运算日益增加的需求。N2及其衍生技术将因他们持续强化的市场策略，进一步扩大在该领域的技术领先优势。据了解，台积电在2nm制程节点还将引入GAA晶体管架构，有望显著降低功耗，提高性能和晶体管密度，带来质的改变。台积电在IEDM会议上发表的一篇论文，提到了2nm制程节点将HD SRAM位单元尺寸缩小到约0.0175μm²。这对于非常依赖于SRAM密度的现代CPU、GPU和SoC设计，带来更大容量的缓存来有效地提升处理大批量数据的能力。台积电采用 EUV 的方法是系统化的，并以客户为中心。该公司会根据新技术的成熟度、成本和潜在的客户利益仔细评估新技术，然后再将其整合到大批量生产中。台积电计划首先使用高数值孔径 EUV 光刻机进行研发，开发客户驱动创新所需的基础设施和图案化解决方案，然后扩大规模以满足客户需求。值得注意的是，尽管高NA EUV工具在提高制程效率和性能方面具有巨大潜力，但其价格十分昂贵，据悉一台高NA EUV成本高达3.5亿欧元，比现有EUV的1.7亿欧元约高出2倍多。连台积电资深副总经理张晓强也直言高NA EUV虽然性能令人满意，但“价格实在太高了”。而且，引入高NA光刻机并不表明万事大吉，不仅要解决相应的挑战，如可以支持光子散粒噪声和生产力要求的光源；满足0.55NA小焦点深度的解决方案；计算光刻能力；掩膜制造和计算基础设施包括新型材料等等，还需要一定的调试和开发时间，兼顾稳定性，投入的时间和隐形的成本可以预见。

根据美国企业研究所（AEI）2024年4月发布的一份报告，俄罗斯的芯片制造行业仍在运作，国内公司主要为军队等政府客户生产半导体。根据AEI报告，2023年上半年，来自中国的芯片出货量占俄罗斯采购芯片的 88%。
该报告指出，俄罗斯的芯片制造行业规模较小且技术相对落后，仍然依赖西方的设备和材料。报告建议欧洲和亚洲盟友应加强对芯片制造工具和设备的控制，以进一步挤压该行业。
此外，美国立法者在2024年6月提出了一项跨党派法案，禁止获得《芯片和科学法案》资助的美国公司从中国、俄罗斯、朝鲜和伊朗拥有或控制的公司购买芯片制造设备。
为了加速本土芯片制造技术的发展，俄罗斯政府已宣布拨款超过25.4亿美元，支持本土半导体制造所需的设备、计算机辅助设计（CAD）工具和原材料的研究开发。计划中特别强调了光刻机的自主研发，这是半导体制造的核心设备之一。目前，全球能够生产先进光刻机的企业寥寥无几，如荷兰的ASML和日本的Nikon等。由于外国公司对俄罗斯施加了出口管制，俄罗斯必须加速自主研发光刻机的进程。
据俄罗斯工业和贸易部的副部长Vasily Shpak透露，俄罗斯计划在2024年启动350nm光刻机的生产，并预计在2026年进行针对130nm制程芯片的光刻机项目。